反向传输电容(Crss):350pF@25V,导通电阻(RDS(on)):9.5mΩ@10V,40A,工作温度:-55℃~+175℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):-,漏源电压(Vdss):80V,耗散功率(Pd):230W,输入电容(Ciss):2900pF@25V,连续漏极电流(Id):75A,阈值电压(Vgs(th)):2V
属性 | 参数值 | 其他 |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 350pF@25V | |
导通电阻(RDS(on)) | 9.5mΩ@10V,40A | |
工作温度 | -55℃~+175℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | - | |
漏源电压(Vdss) | 80V | |
耗散功率(Pd) | 230W | |
输入电容(Ciss) | 2900pF@25V | |
连续漏极电流(Id) | 75A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 2V |