反向传输电容(Crss):460pF@25V,导通电阻(RDS(on)):2.6mΩ@10V,24A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):45nC@20V,漏源电压(Vdss):30V,耗散功率(Pd):120W,输入电容(Ciss):-,连续漏极电流(Id):120A,阈值电压(Vgs(th)):1V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 460pF@25V | |
导通电阻(RDS(on)) | 2.6mΩ@10V,24A | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 45nC@20V | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
耗散功率(Pd) | 120W | |
输入电容(Ciss) | - | |
连续漏极电流(Id) | 120A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 1V |