反向传输电容(Crss):28pF@40V,导通电阻(RDS(on)):5.7mΩ@10V,45A,工作温度:-55℃~+175℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):51nC@40V,漏源电压(Vdss):85V,耗散功率(Pd):120W,输入电容(Ciss):3100pF@40V,连续漏极电流(Id):90A,阈值电压(Vgs(th)):3V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 28pF@40V | |
导通电阻(RDS(on)) | 5.7mΩ@10V,45A | |
工作温度 | -55℃~+175℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 51nC@40V | |
漏源电压(Vdss) | 85V | |
耗散功率(Pd) | 120W | |
输入电容(Ciss) | 3100pF@40V | |
连续漏极电流(Id) | 90A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 3V |