反向传输电容(Crss):308pF,导通电阻(RDS(on)):5.5mΩ@10V,20A,工作温度:-55℃~+175℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):70nC@10V,漏源电压(Vdss):30V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):110W,输入电容(Ciss):-,输出电容(Coss):356pF,连续漏极电流(Id):100A,阈值电压(Vgs(th)):3V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 308pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 5.5mΩ@10V,20A | |
工作温度 | -55℃~+175℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 70nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
类型 | N沟道 | |
耗散功率(Pd) | 110W | |
输入电容(Ciss) | - | |
输出电容(Coss) | 356pF | |
连续漏极电流(Id) | 100A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥3.56/个 |
10+ | ¥3.05/个 |
30+ | ¥2.83/个 |
100+ | ¥2.56/个 |
500+ | ¥2.44/个 |
1000+ | ¥2.37/个 |
整盘
单价
整盘单价¥2.6036
50 PCS/盘
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