反向传输电容(Crss):-,导通电阻(RDS(on)):3.4mΩ@10V,75A,工作温度:-55℃~+175℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):-,漏源电压(Vdss):60V,耗散功率(Pd):75W,输入电容(Ciss):-,连续漏极电流(Id):86A,阈值电压(Vgs(th)):4V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | - | |
导通电阻(RDS(on)) | 3.4mΩ@10V,75A | |
工作温度 | -55℃~+175℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | - | |
漏源电压(Vdss) | 60V | |
耗散功率(Pd) | 75W | |
输入电容(Ciss) | - | |
连续漏极电流(Id) | 86A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 4V |