反向传输电容(Crss):5.5pF,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):35nC@10V,漏源电压(Vdss):670V,耗散功率(Pd):-,输入电容(Ciss):1830pF@25V,连续漏极电流(Id):16A,阈值电压(Vgs(th)):3V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 5.5pF | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 35nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 670V | |
耗散功率(Pd) | - | |
输入电容(Ciss) | 1830pF@25V | |
连续漏极电流(Id) | 16A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 3V |