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SI4866DY-T1-E3
扩展库- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 厂家型号
- SI4866DY-T1-E3
- 商品编号
- C5917685
- 商品封装
- SOIC-8
- 商品毛重
- 0.000172千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
导通电阻(RDS(on)):5.5mΩ@4.5V,17A,工作温度:-55℃~+150℃@(Tj),数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):-,漏源电压(Vdss):12V,耗散功率(Pd):1.6W,连续漏极电流(Id):-,阈值电压(Vgs(th)):600mV
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.5mΩ@4.5V,17A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 12V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.6W | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 600mV |
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