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SQ4182EY-T1_GE3
扩展库- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 厂家型号
- SQ4182EY-T1_GE3
- 商品编号
- C7083941
- 商品封装
- SOIC-8
- 商品毛重
- 0.000172千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
导通电阻(RDS(on)):3.8mΩ@10V,14A,工作温度:-55℃~+175℃@(Tj),数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):110nC@10V,漏源电压(Vdss):30V,耗散功率(Pd):7.1W,输入电容(Ciss):5400pF@15V,连续漏极电流(Id):32A,阈值电压(Vgs(th)):2.5V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.8mΩ@10V,14A | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 110nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 耗散功率(Pd) | 7.1W | |
| 输入电容(Ciss) | 5400pF@15V | |
| 连续漏极电流(Id) | 32A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
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