反向传输电容(Crss):-,导通电阻(RDS(on)):4Ω@4.5V,0.2A,工作温度:-,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):0.7nC@4.5V,漏源电压(Vdss):60V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):0.35W,输入电容(Ciss):-,输出电容(Coss):6.5pF,连续漏极电流(Id):0.25A,配置:-,阈值电压(Vgs(th)):2.5V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | - | |
导通电阻(RDS(on)) | 4Ω@4.5V,0.2A | |
工作温度 | - | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 0.7nC@4.5V | |
漏源电压(Vdss) | 60V | |
类型 | N沟道 | |
耗散功率(Pd) | 0.35W | |
输入电容(Ciss) | - | |
输出电容(Coss) | 6.5pF | |
连续漏极电流(Id) | 0.25A | |
配置 | - | |
阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |