反向传输电容(Crss):75.5pF,导通电阻(RDS(on)):40mΩ@4.5V,4.0A,工作温度:-,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):11.1nC@4.5V,漏源电压(Vdss):20V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):1.5W,输入电容(Ciss):989pF,输出电容(Coss):167pF,连续漏极电流(Id):4.2A,阈值电压(Vgs(th)):1V@250uA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 75.5pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 40mΩ@4.5V,4.0A | |
| 工作温度 | - | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11.1nC@4.5V | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 类型 | P沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 输入电容(Ciss) | 989pF | |
| 输出电容(Coss) | 167pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.2A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |