反向传输电容(Crss):68pF,导通电阻(RDS(on)):5.5mΩ@4.5V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):10.9nC@4.5V,漏源电压(Vdss):20V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):96W,输入电容(Ciss):2120pF,输出电容(Coss):1170pF,连续漏极电流(Id):104A,阈值电压(Vgs(th)):0.9V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 68pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 5.5mΩ@4.5V | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个P沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 10.9nC@4.5V | |
漏源电压(Vdss) | 20V | |
类型 | P沟道 | |
耗散功率(Pd) | 96W | |
输入电容(Ciss) | 2120pF | |
输出电容(Coss) | 1170pF | |
连续漏极电流(Id) | 104A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 0.9V@250uA |
梯度 | 售价 |
---|---|
1+ | ¥8.64/个 |
10+ | ¥7.2/个 |
30+ | ¥6.41/个 |
250+ | ¥5.18/个 |
500+ | ¥4.78/个 |
1000+ | ¥4.6/个 |
整盘
单价
整盘单价¥4.7656
250 PCS/盘
嘉立创补贴8%
一盘能省掉103.6元