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CSD16340Q3T
扩展库- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 厂家型号
- CSD16340Q3T
- 商品编号
- C2868462
- 商品封装
- VSON-CLIP-8(3.3x3.3)
- 商品毛重
- 0.000107千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
导通电阻(RDS(on)):4.5mΩ@8V,20A,工作温度:-55℃~+150℃@(Tj),数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):9.2nC@4.5V,漏源电压(Vdss):25V,耗散功率(Pd):3W,输入电容(Ciss):1350pF@12.5V,连续漏极电流(Id):60A,阈值电压(Vgs(th)):1.1V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.5mΩ@8V,20A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9.2nC@4.5V | |
| 漏源电压(Vdss) | 25V | |
| 耗散功率(Pd) | 3W | |
| 输入电容(Ciss) | 1350pF@12.5V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V |
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