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CSD16327Q3
扩展库- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 厂家型号
- CSD16327Q3
- 商品编号
- C2860421
- 商品封装
- VSON-CLIP-8(3.3x3.3)
- 商品毛重
- 0.00008千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):65pF,导通电阻(RDS(on)):6.5mΩ@3V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):8.4nC@4.5V,漏源电压(Vdss):25V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):74W,输入电容(Ciss):1300pF,输出电容(Coss):960pF,连续漏极电流(Id):112A,阈值电压(Vgs(th)):1.4V@250uA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 65pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.5mΩ@3V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 8.4nC@4.5V | |
| 漏源电压(Vdss) | 25V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 74W | |
| 输入电容(Ciss) | 1300pF | |
| 输出电容(Coss) | 960pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 112A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.4V@250uA |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥6.27/个 |
| 10+ | ¥5.1/个 |
| 30+ | ¥4.52/个 |
| 100+ | ¥3.94/个 |
| 500+ | ¥3.21/个 |
| 1000+ | ¥3.03/个 |
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