反向传输电容(Crss):55pF,导通电阻(RDS(on)):130mΩ@4.5V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):12nC@2.5V,漏源电压(Vdss):30V,耗散功率(Pd):1W,输入电容(Ciss):405pF,输出电容(Coss):75pF,连续漏极电流(Id):2A,阈值电压(Vgs(th)):2V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 55pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 130mΩ@4.5V | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个P沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 12nC@2.5V | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
耗散功率(Pd) | 1W | |
输入电容(Ciss) | 405pF | |
输出电容(Coss) | 75pF | |
连续漏极电流(Id) | 2A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA |