反向传输电容(Crss):55pF,导通电阻(RDS(on)):0.21Ω@2.5V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:-,栅极电荷量(Qg):6nC@10V,漏源电压(Vdss):20V,耗散功率(Pd):0.35W,输入电容(Ciss):405pF,输出电容(Coss):75pF,连续漏极电流(Id):1.6A,阈值电压(Vgs(th)):1V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 55pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 0.21Ω@2.5V | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | - | |
栅极电荷量(Qg) | 6nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 20V | |
耗散功率(Pd) | 0.35W | |
输入电容(Ciss) | 405pF | |
输出电容(Coss) | 75pF | |
连续漏极电流(Id) | 1.6A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥0.0707/个 |
100+ | ¥0.0557/个 |
300+ | ¥0.0483/个 |
3000+ | ¥0.0408/个 |
6000+ | ¥0.0363/个 |
9000+ | ¥0.034/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.0408
3000 PCS/盘