反向传输电容(Crss):5pF,导通电阻(RDS(on)):7.5Ω@10V,工作温度:-,栅极电荷量(Qg):0.23nC@4.5V,漏源电压(Vdss):60V,耗散功率(Pd):150mW,输入电容(Ciss):40pF,输出电容(Coss):20pF,连续漏极电流(Id):0.18A,阈值电压(Vgs(th)):1.5V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 5pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 7.5Ω@10V | |
工作温度 | - | |
栅极电荷量(Qg) | 0.23nC@4.5V | |
漏源电压(Vdss) | 60V | |
耗散功率(Pd) | 150mW | |
输入电容(Ciss) | 40pF | |
输出电容(Coss) | 20pF | |
连续漏极电流(Id) | 0.18A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@250uA |