反向传输电容(Crss):165pF,导通电阻(RDS(on)):12mΩ@4.5V,工作温度:-55℃~+175℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):37nC,漏源电压(Vdss):40V,耗散功率(Pd):47W,输入电容(Ciss):2400pF,连续漏极电流(Id):60A,阈值电压(Vgs(th)):2.5V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 165pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12mΩ@4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 37nC | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 耗散功率(Pd) | 47W | |
| 输入电容(Ciss) | 2400pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥1.0741/个 |
| 50+ | ¥0.836/个 |
| 150+ | ¥0.734/个 |
| 500+ | ¥0.607/个 |
| 2500+ | ¥0.551/个 |
| 5000+ | ¥0.517/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.50692
2500 PCS/盘
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