反向传输电容(Crss):650pF,导通电阻(RDS(on)):70mΩ@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):52nC@10V,漏源电压(Vdss):100V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):102W,输入电容(Ciss):3800pF,输出电容(Coss):1200pF,连续漏极电流(Id):28A,配置:-,阈值电压(Vgs(th)):2.5V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 650pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 70mΩ@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 52nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 类型 | P沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 102W | |
| 输入电容(Ciss) | 3800pF | |
| 输出电容(Coss) | 1200pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 28A | |
| 配置 | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥1.145/个 |
| 50+ | ¥0.909/个 |
| 150+ | ¥0.808/个 |
| 500+ | ¥0.682/个 |
| 2500+ | ¥0.626/个 |
| 5000+ | ¥0.592/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.57592
2500 PCS/盘
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