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AOD514-VB
扩展库- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 厂家型号
- AOD514-VB
- 商品编号
- C2928221
- 商品封装
- TO-252
- 商品毛重
- 0.000414千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):770pF,导通电阻(RDS(on)):0.002Ω@10V,导通电阻(RDS(on)):0.003Ω@4.5V,工作温度:-55℃~+175℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):151nC@10V,漏源电压(Vdss):30V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):235W,输入电容(Ciss):5201pF,输出电容(Coss):1525pF,连续漏极电流(Id):100A,阈值电压(Vgs(th)):2.5V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 770pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.002Ω@10V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.003Ω@4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 151nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 235W | |
| 输入电容(Ciss) | 5201pF | |
| 输出电容(Coss) | 1525pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥3.8/个 |
| 10+ | ¥3.135/个 |
| 30+ | ¥2.803/个 |
| 100+ | ¥2.47/个 |
| 500+ | ¥2.128/个 |
| 1000+ | ¥2.0235/个 |
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