反向传输电容(Crss):625pF,导通电阻(RDS(on)):4.5mΩ@4.5V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):99.2nC,漏源电压(Vdss):20V,耗散功率(Pd):3.13W,输入电容(Ciss):6400pF,连续漏极电流(Id):80A,阈值电压(Vgs(th)):0.9V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 625pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.5mΩ@4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 99.2nC | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.13W | |
| 输入电容(Ciss) | 6400pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 0.9V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥0.775/个 |
| 50+ | ¥0.614/个 |
| 150+ | ¥0.534/个 |
| 500+ | ¥0.474/个 |
| 2500+ | ¥0.417/个 |
| 5000+ | ¥0.393/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.38364
2500 PCS/盘
嘉立创补贴8%
一盘能省掉83.4元