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ASDM100N15KQ-R
扩展库- 品牌名称
- ASDsemi(安森德)
- 厂家型号
- ASDM100N15KQ-R
- 商品编号
- C2972865
- 商品封装
- TO-252
- 商品毛重
- 0.00046千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- -
商品参数
反向传输电容(Crss):21pF,导通电阻(RDS(on)):110mΩ@10V,工作温度:-55℃~+175℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):19.2nC,漏源电压(Vdss):100V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):55W,输入电容(Ciss):932pF,连续漏极电流(Id):15A,阈值电压(Vgs(th)):3V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 21pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 110mΩ@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 19.2nC | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 55W | |
| 输入电容(Ciss) | 932pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥0.631/个 |
| 50+ | ¥0.507/个 |
| 150+ | ¥0.444/个 |
| 500+ | ¥0.397/个 |
| 2500+ | ¥0.324/个 |
| 5000+ | ¥0.306/个 |
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