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ASDM40N80KQ-R
扩展库- 品牌名称
- ASDsemi(安森德)
- 厂家型号
- ASDM40N80KQ-R
- 商品编号
- C2972888
- 商品封装
- TO-252
- 商品毛重
- 0.00046千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- -
商品参数
反向传输电容(Crss):155pF,导通电阻(RDS(on)):4.5mΩ@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):29nC@10V,漏源电压(Vdss):40V,耗散功率(Pd):65W,输入电容(Ciss):3027pF,输出电容(Coss):1513pF,连续漏极电流(Id):80A,阈值电压(Vgs(th)):2.5V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 155pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.5mΩ@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 29nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 耗散功率(Pd) | 65W | |
| 输入电容(Ciss) | 3027pF | |
| 输出电容(Coss) | 1513pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥1.0677/个 |
| 50+ | ¥0.838/个 |
| 150+ | ¥0.74/个 |
| 500+ | ¥0.618/个 |
| 2500+ | ¥0.563/个 |
| 5000+ | ¥0.53/个 |
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