反向传输电容(Crss):37pF,导通电阻(RDS(on)):55mΩ@10V,工作温度:-55℃~+150℃,栅极电荷量(Qg):10nC@10V,漏源电压(Vdss):60V,耗散功率(Pd):11W,输入电容(Ciss):376pF,输出电容(Coss):54pF,连续漏极电流(Id):15A,阈值电压(Vgs(th)):2.3V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 37pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 55mΩ@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 耗散功率(Pd) | 11W | |
| 输入电容(Ciss) | 376pF | |
| 输出电容(Coss) | 54pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.3V |