反向传输电容(Crss):11.7pF,导通电阻(RDS(on)):6.5mΩ@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):61.2nC,漏源电压(Vdss):85V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):156.2W,输入电容(Ciss):3219pF,输出电容(Coss):490pF,连续漏极电流(Id):80A,阈值电压(Vgs(th)):4V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 11.7pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.5mΩ@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 61.2nC | |
| 漏源电压(Vdss) | 85V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 156.2W | |
| 输入电容(Ciss) | 3219pF | |
| 输出电容(Coss) | 490pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥3.03/个 |
| 10+ | ¥2.47/个 |
| 30+ | ¥2.2/个 |
| 100+ | ¥1.92/个 |
| 500+ | ¥1.44/个 |
| 1000+ | ¥1.36/个 |
整盘
单价
整盘单价¥1.36
2500 PCS/盘