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IPD50N06S4-09
扩展库- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 厂家型号
- IPD50N06S4-09
- 商品编号
- C3279076
- 商品封装
- TO-252
- 商品毛重
- 0.00045千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):60pF,导通电阻(RDS(on)):9mΩ@10V,工作温度:-55℃~+175℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):47nC@10V,漏源电压(Vdss):60V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):71W,输入电容(Ciss):3785pF,输出电容(Coss):930pF,连续漏极电流(Id):50A,阈值电压(Vgs(th)):4V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 60pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9mΩ@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 47nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 71W | |
| 输入电容(Ciss) | 3785pF | |
| 输出电容(Coss) | 930pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥9.48/个 |
| 10+ | ¥7.9/个 |
| 30+ | ¥7.03/个 |
| 100+ | ¥6.04/个 |
| 500+ | ¥5.61/个 |
| 1000+ | ¥5.41/个 |
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