反向传输电容(Crss):35pF,导通电阻(RDS(on)):130mΩ@4.5V,导通电阻(RDS(on)):75mΩ@10V,3.7A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道+1个P沟道,栅极电荷量(Qg):20nC@10V,栅极电荷量(Qg):12nC@10V,漏源电压(Vdss):60V,类型:N沟道+P沟道,耗散功率(Pd):2W,输入电容(Ciss):940pF,输入电容(Ciss):500pF,输出电容(Coss):70pF,连续漏极电流(Id):5.1A,阈值电压(Vgs(th)):3V@250uA,阈值电压(Vgs(th)):1.5V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 35pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 130mΩ@4.5V | |
导通电阻(RDS(on)) | 75mΩ@10V,3.7A | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 20nC@10V | |
栅极电荷量(Qg) | 12nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 60V | |
类型 | N沟道+P沟道 | |
耗散功率(Pd) | 2W | |
输入电容(Ciss) | 940pF | |
输入电容(Ciss) | 500pF | |
输出电容(Coss) | 70pF | |
连续漏极电流(Id) | 5.1A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA | |
阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@250uA |