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ID:36A VDSS:1200V RDON:80mR N沟道

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品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
厂家型号: HSCTW40N120G2V
商品编号: C42389112
商品封装: TO-247-3
商品毛重: 0.0068千克(kg)
包装方式: 管装
ECCN: -

商品参数

反向传输电容(Crss):7.6pF,导通电阻(RDS(on)):98mΩ,工作温度:-56℃~+150℃,栅极电荷量(Qg):71nC,漏源电压(Vdss):1200V,耗散功率(Pd):192W,输入电容(Ciss):1130pF,输出电容(Coss):92pF,连续漏极电流(Id):36A,阈值电压(Vgs(th)):4V

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属性	参数值	其他
商品目录	碳化硅场效应管(MOSFET)
反向传输电容(Crss)	7.6pF
导通电阻(RDS(on))	98mΩ
工作温度	-56℃~+150℃
栅极电荷量(Qg)	71nC
漏源电压(Vdss)	1200V
耗散功率(Pd)	192W
输入电容(Ciss)	1130pF
输出电容(Coss)	92pF
连续漏极电流(Id)	36A
阈值电压(Vgs(th))	4V

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阶梯价格(含税价)

梯度	售价
1+	¥25.747/个
10+	¥25.16/个
30+	¥24.769/个
90+	¥24.37/个
92+	¥24.37/个
94+	¥24.37/个

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整盘

单价

整盘单价¥24.769

30 PCS/盘

库存总量

5 PCS

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