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SQD50N10-8M9L_GE3
扩展库- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 厂家型号
- SQD50N10-8M9L_GE3
- 商品编号
- C467987
- 商品封装
- TO-252
- 商品毛重
- 0.000442千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
导通电阻(RDS(on)):8.9mΩ@10V,15A,工作温度:-55℃~+175℃@(Tj),数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):70nC@10V,漏源电压(Vdss):100V,耗散功率(Pd):136W,输入电容(Ciss):2950pF@25V,连续漏极电流(Id):50A,阈值电压(Vgs(th)):2.5V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.9mΩ@10V,15A | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 70nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 耗散功率(Pd) | 136W | |
| 输入电容(Ciss) | 2950pF@25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥9.543/个 |
| 10+ | ¥8.208/个 |
| 30+ | ¥6.818/个 |
| 100+ | ¥6.015/个 |
| 500+ | ¥5.645/个 |
| 1000+ | ¥5.478/个 |
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