N沟道碳化硅功率MOSFET，低导通电阻、快速开关、反向恢复快、易于并联和驱动，无铅且符合RoHS标准实物图

N沟道碳化硅功率MOSFET，低导通电阻、快速开关、反向恢复快、易于并联和驱动，无铅且符合RoHS标准缩略图

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N沟道碳化硅功率MOSFET，低导通电阻、快速开关、反向恢复快、易于并联和驱动，无铅且符合RoHS标准

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品牌名称: NCE(无锡新洁能)
厂家型号: NCES090P050T
商品编号: C54425837
商品封装: TO-247-3L
商品毛重: 0.00831千克(kg)
包装方式: 管装
ECCN: -

商品参数

反向传输电容(Crss):4.7pF,导通电阻(RDS(on)):50mΩ,工作温度:-55℃~+175℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):64nC,漏源电压(Vdss):900V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):180W,输入电容(Ciss):1680pF,输出电容(Coss):112pF,连续漏极电流(Id):50A,配置:-,阈值电压(Vgs(th)):4.8V

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属性	参数值	其他
商品目录	碳化硅场效应管(MOSFET)
反向传输电容(Crss)	4.7pF
导通电阻(RDS(on))	50mΩ
工作温度	-55℃~+175℃
数量	1个N沟道
栅极电荷量(Qg)	64nC
漏源电压(Vdss)	900V
类型	N沟道
耗散功率(Pd)	180W
输入电容(Ciss)	1680pF
输出电容(Coss)	112pF
连续漏极电流(Id)	50A
配置	-
阈值电压(Vgs(th))	4.8V