导通电阻(RDS(on)):4Ω@10V,500mA,工作温度:-55℃~+150℃@(Tj),数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):1.1nC@4.5V,漏源电压(Vdss):60V,耗散功率(Pd):500mW,输入电容(Ciss):51pF@25V,连续漏极电流(Id):300mA,阈值电压(Vgs(th)):2.5V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4Ω@10V,500mA | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 1.1nC@4.5V | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 耗散功率(Pd) | 500mW | |
| 输入电容(Ciss) | 51pF@25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 300mA | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥0.435/个 |
| 50+ | ¥0.339/个 |
| 150+ | ¥0.291/个 |
| 500+ | ¥0.255/个 |
| 3000+ | ¥0.227/个 |
| 6000+ | ¥0.212/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.212
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