反向传输电容(Crss):29pF@10V,导通电阻(RDS(on)):56mΩ,工作温度:-55℃~+150℃@(Tj),数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):4.6nC@4.5V,漏源电压(Vdss):20V,耗散功率(Pd):1.25W,输入电容(Ciss):350pF@10V,连续漏极电流(Id):-,配置:-,阈值电压(Vgs(th)):1.2V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 29pF@10V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 56mΩ | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 4.6nC@4.5V | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W | |
| 输入电容(Ciss) | 350pF@10V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 配置 | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥0.538/个 |
| 50+ | ¥0.421/个 |
| 150+ | ¥0.362/个 |
| 500+ | ¥0.318/个 |
| 3000+ | ¥0.282/个 |
| 6000+ | ¥0.265/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.26
3000 PCS/盘
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