反向传输电容(Crss):134pF@10V,导通电阻(RDS(on)):15.5mΩ@4.5V,5A,工作温度:-55℃~+150℃@(Tj),数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):16nC@4.5V,漏源电压(Vdss):20V,耗散功率(Pd):1.25W,输入电容(Ciss):1177pF@10V,连续漏极电流(Id):7.3A,阈值电压(Vgs(th)):1V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 134pF@10V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15.5mΩ@4.5V,5A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 16nC@4.5V | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W | |
| 输入电容(Ciss) | 1177pF@10V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7.3A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |