反向传输电容(Crss):77pF,导通电阻(RDS(on)):50mΩ@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):22nC@10V,漏源电压(Vdss):30V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):0.35W,输入电容(Ciss):954pF,输出电容(Coss):115pF,连续漏极电流(Id):4.2A,阈值电压(Vgs(th)):0.9V@250uA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 77pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 50mΩ@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 类型 | P沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 0.35W | |
| 输入电容(Ciss) | 954pF | |
| 输出电容(Coss) | 115pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.2A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 0.9V@250uA |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥0.219/个 |
| 100+ | ¥0.181/个 |
| 300+ | ¥0.162/个 |
| 3000+ | ¥0.14/个 |
| 6000+ | ¥0.129/个 |
| 9000+ | ¥0.124/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.1288
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