反向传输电容(Crss):1.9pF@30V,导通电阻(RDS(on)):2.5Ω@10V,300mA,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):1.6nC@10V,漏源电压(Vdss):60V,耗散功率(Pd):350mW,输入电容(Ciss):27.5pF@30V,连续漏极电流(Id):340mA,阈值电压(Vgs(th)):2.5V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.9pF@30V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.5Ω@10V,300mA | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 1.6nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW | |
| 输入电容(Ciss) | 27.5pF@30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 340mA | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥0.115/个 |
| 500+ | ¥0.0899/个 |
| 3000+ | ¥0.0757/个 |
| 6000+ | ¥0.0673/个 |
| 24000+ | ¥0.0599/个 |
| 51000+ | ¥0.0559/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.06964
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