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SUPSiC MOSFET 碳化硅场效应管
扩展库- 品牌名称
- SUPSiC(国晶微半导体)
- 厂家型号
- GC2M0040120D
- 商品编号
- C7435044
- 商品封装
- TO-247-3
- 商品毛重
- 0.00863千克(kg)
- 包装方式
- 管装
- ECCN
- -
商品参数
反向传输电容(Crss):11pF,导通电阻(RDS(on)):80mΩ,导通电阻(RDS(on)):80mΩ@20V,工作温度:-55℃~+150℃,栅极电荷量(Qg):120nC,漏源电压(Vdss):1200V,类型:1个N沟道,耗散功率(Pd):278W,输入电容(Ciss):2440pF,输出电容(Coss):171pF,连续漏极电流(Id):55A,配置:-,阈值电压(Vgs(th)):3.2V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 11pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 80mΩ | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 80mΩ@20V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 栅极电荷量(Qg) | 120nC | |
| 漏源电压(Vdss) | 1200V | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 278W | |
| 输入电容(Ciss) | 2440pF | |
| 输出电容(Coss) | 171pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 55A | |
| 配置 | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.2V |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥41.92/个 |
| 10+ | ¥36.15/个 |
| 30+ | ¥31.14/个 |
| 90+ | ¥28.19/个 |
| 92+ | ¥28.19/个 |
| 94+ | ¥28.19/个 |
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