反向传输电容(Crss):29pF@10V,导通电阻(RDS(on)):65mΩ@10V,3.5A,工作温度:-,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):4.5nC@10V,漏源电压(Vdss):30V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):0.75W,输入电容(Ciss):305pF@10V,连续漏极电流(Id):4A,阈值电压(Vgs(th)):3V@250uA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 29pF@10V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 65mΩ@10V,3.5A | |
| 工作温度 | - | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 4.5nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 0.75W | |
| 输入电容(Ciss) | 305pF@10V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |