反向传输电容(Crss):15pF@10V,导通电阻(RDS(on)):580mΩ@4.5V,0.5A,工作温度:-40℃~+150℃,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):1.25nC,漏源电压(Vdss):20V,耗散功率(Pd):0.35W,输入电容(Ciss):71pF,连续漏极电流(Id):0.5A,阈值电压(Vgs(th)):0.35V@250uA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 15pF@10V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 580mΩ@4.5V,0.5A | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 1.25nC | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 耗散功率(Pd) | 0.35W | |
| 输入电容(Ciss) | 71pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 0.5A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 0.35V@250uA |