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IRLML6402TRPBF-HXY
扩展库- 品牌名称
- HXY MOSFET(华轩阳电子)
- 厂家型号
- IRLML6402TRPBF-HXY
- 商品编号
- C7543024
- 商品封装
- SOT-23
- 商品毛重
- 0.000036千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- -
商品参数
反向传输电容(Crss):190pF,导通电阻(RDS(on)):55mΩ@4.5V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):7.8nC@4.5V,漏源电压(Vdss):20V,类型:P沟道,输入电容(Ciss):740pF,输出电容(Coss):290pF,连续漏极电流(Id):4.2A,阈值电压(Vgs(th)):0.7V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 190pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 55mΩ@4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 7.8nC@4.5V | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输入电容(Ciss) | 740pF | |
| 输出电容(Coss) | 290pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.2A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 0.7V |
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