反向传输电容(Crss):55pF@10V,导通电阻(RDS(on)):90mΩ@4.5V,4A,工作温度:-,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):3.3nC@2.5V,漏源电压(Vdss):20V,耗散功率(Pd):400mW,输入电容(Ciss):405pF@10V,连续漏极电流(Id):2.5A,阈值电压(Vgs(th)):750mV
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 55pF@10V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 90mΩ@4.5V,4A | |
| 工作温度 | - | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 3.3nC@2.5V | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 耗散功率(Pd) | 400mW | |
| 输入电容(Ciss) | 405pF@10V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.5A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 750mV |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥0.134/个 |
| 500+ | ¥0.107/个 |
| 3000+ | ¥0.0802/个 |
| 6000+ | ¥0.0712/个 |
| 24000+ | ¥0.0634/个 |
| 51000+ | ¥0.0592/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.07378
3000 PCS/盘
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