反向传输电容(Crss):-,导通电阻(RDS(on)):135mΩ@4.5V,导通电阻(RDS(on)):185mΩ@2.5V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):-,漏源电压(Vdss):20V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):350mW,输入电容(Ciss):-,连续漏极电流(Id):1.8A,配置:-,阈值电压(Vgs(th)):1V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 135mΩ@4.5V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 185mΩ@2.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 类型 | P沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.8A | |
| 配置 | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥0.0538/个 |
| 500+ | ¥0.0414/个 |
| 3000+ | ¥0.0328/个 |
| 6000+ | ¥0.0287/个 |
| 24000+ | ¥0.0252/个 |
| 45000+ | ¥0.0232/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.03018
3000 PCS/盘
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