反向传输电容(Crss):-,导通电阻(RDS(on)):30mΩ@10V,8A,工作温度:-50℃~+150℃,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):-,漏源电压(Vdss):60V,耗散功率(Pd):-,输入电容(Ciss):-,连续漏极电流(Id):35A,阈值电压(Vgs(th)):2.5V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | - | |
导通电阻(RDS(on)) | 30mΩ@10V,8A | |
工作温度 | -50℃~+150℃ | |
数量 | 1个P沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | - | |
漏源电压(Vdss) | 60V | |
耗散功率(Pd) | - | |
输入电容(Ciss) | - | |
连续漏极电流(Id) | 35A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |