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GC3M0065090D
扩展库- 品牌名称
- SUPSiC(国晶微半导体)
- 厂家型号
- GC3M0065090D
- 商品编号
- C7435034
- 商品封装
- TO247-3
- 商品毛重
- 0.008477千克(kg)
- 包装方式
- 管装
- ECCN
- -
商品参数
反向传输电容(Crss):5pF,导通电阻(RDS(on)):65mΩ,导通电阻(RDS(on)):65mΩ,导通电阻(RDS(on)):65mΩ@15V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):30nC,栅极电荷量(Qg):71nC,栅极电荷量(Qg):71nC,漏源电压(Vdss):900V,漏源电压(Vdss):900V,类型:1个N沟道,耗散功率(Pd):125W,耗散功率(Pd):125W,输入电容(Ciss):760pF,输出电容(Coss):66pF,连续漏极电流(Id):36A,连续漏极电流(Id):36A,配置:-,阈值电压(Vgs(th)):2.1V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 65mΩ | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 65mΩ | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 65mΩ@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 30nC | |
| 栅极电荷量(Qg) | 71nC | |
| 栅极电荷量(Qg) | 71nC | |
| 漏源电压(Vdss) | 900V | |
| 漏源电压(Vdss) | 900V | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 125W | |
| 耗散功率(Pd) | 125W | |
| 输入电容(Ciss) | 760pF | |
| 输出电容(Coss) | 66pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 36A | |
| 连续漏极电流(Id) | 36A | |
| 配置 | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.1V |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥32.528/个 |
| 10+ | ¥28.139/个 |
| 30+ | ¥24.33/个 |
| 90+ | ¥22.0875/个 |
| 92+ | ¥22.0875/个 |
| 94+ | ¥22.0875/个 |
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