导通电阻(RDS(on)):840mΩ@1.5V,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):1nC@4.5V,漏源电压(Vdss):20V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):500mW,输入电容(Ciss):44pF,输出电容(Coss):10.4pF,连续漏极电流(Id):800mA,阈值电压(Vgs(th)):1V@1mA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
导通电阻(RDS(on)) | 840mΩ@1.5V | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 1nC@4.5V | |
漏源电压(Vdss) | 20V | |
类型 | N沟道 | |
耗散功率(Pd) | 500mW | |
输入电容(Ciss) | 44pF | |
输出电容(Coss) | 10.4pF | |
连续漏极电流(Id) | 800mA | |
阈值电压(Vgs(th)) | 1V@1mA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥0.375/个 |
50+ | ¥0.328/个 |
150+ | ¥0.305/个 |
500+ | ¥0.287/个 |
2500+ | ¥0.273/个 |
5000+ | ¥0.266/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.266
8000 PCS/盘