反向传输电容(Crss):11pF@16V,导通电阻(RDS(on)):850mΩ@4.5V,500mA,工作温度:-55℃~+150℃@(Tj),数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):0.86nC@4.5V,漏源电压(Vdss):20V,耗散功率(Pd):0.15W,输入电容(Ciss):40pF@16V,连续漏极电流(Id):0.66A,阈值电压(Vgs(th)):0.35V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 11pF@16V | |
导通电阻(RDS(on)) | 850mΩ@4.5V,500mA | |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
数量 | 1个P沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 0.86nC@4.5V | |
漏源电压(Vdss) | 20V | |
耗散功率(Pd) | 0.15W | |
输入电容(Ciss) | 40pF@16V | |
连续漏极电流(Id) | 0.66A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 0.35V |