温馨提示：图片仅供参考，商品以实物为准
SPP21N50C3
扩展库- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 厂家型号
- SPP21N50C3
- 商品编号
- C168875
- 商品封装
- TO-220
- 商品毛重
- 0.00264千克(kg)
- 包装方式
- 管装
- ECCN
- EAR99
商品参数
导通电阻(RDS(on)):190mΩ@10V,13.1A,数量:1个N沟道,漏源电压(Vdss):500V,耗散功率(Pd):208W,连续漏极电流(Id):21A,阈值电压(Vgs(th)):3.9V@1mA
找到类似商品：0 种查看类似商品
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 190mΩ@10V,13.1A | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 耗散功率(Pd) | 208W | |
| 连续漏极电流(Id) | 21A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.9V@1mA |
数据手册PDF
暂无数据手册PDF
预订参考价
49.55 / PCS库存总量
0 PCS电话
顶部
元器件购物车