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HRUM002N02T2L
扩展库- 品牌名称
- HXY MOSFET(华轩阳电子)
- 厂家型号
- HRUM002N02T2L
- 商品编号
- C22461928
- 商品封装
- SOT-723
- 商品毛重
- 0.000006千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- -
商品参数
反向传输电容(Crss):9pF@16V,导通电阻(RDS(on)):260mΩ@4.5V,工作温度:-,数量:1个N沟道,漏源电压(Vdss):20V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):0.15W,输入电容(Ciss):120pF,输出电容(Coss):20pF,连续漏极电流(Id):1.2A,阈值电压(Vgs(th)):1V@250uA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 9pF@16V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 260mΩ@4.5V | |
| 工作温度 | - | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 0.15W | |
| 输入电容(Ciss) | 120pF | |
| 输出电容(Coss) | 20pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.2A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |
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