反向传输电容(Crss):2.5pF@10V,导通电阻(RDS(on)):220mΩ@4.5V,0.5A,工作温度:-40℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):1nC,漏源电压(Vdss):20V,耗散功率(Pd):0.22W,输入电容(Ciss):56pF,连续漏极电流(Id):0.7A,阈值电压(Vgs(th)):0.35V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 2.5pF@10V | |
导通电阻(RDS(on)) | 220mΩ@4.5V,0.5A | |
工作温度 | -40℃~+150℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 1nC | |
漏源电压(Vdss) | 20V | |
耗散功率(Pd) | 0.22W | |
输入电容(Ciss) | 56pF | |
连续漏极电流(Id) | 0.7A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 0.35V@250uA |