反向传输电容(Crss):17.3pF,导通电阻(RDS(on)):54mΩ,工作温度:-55℃~+175℃,漏源电压(Vdss):1700V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):256W,输入电容(Ciss):2693pF,输出电容(Coss):99pF,连续漏极电流(Id):41A,阈值电压(Vgs(th)):4V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 17.3pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 54mΩ | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 漏源电压(Vdss) | 1700V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 256W | |
| 输入电容(Ciss) | 2693pF | |
| 输出电容(Coss) | 99pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 41A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |