BCZ120N32W1实物图
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BCZ120N32W1

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品牌名称
Bestirpower(萃锦半导体)
厂家型号
BCZ120N32W1
商品编号
C46472754
商品封装
TO-247-4
商品毛重
0.001千克(kg)
包装方式
管装
ECCN
-

商品参数

反向传输电容(Crss):7pF,导通电阻(RDS(on)):32mΩ,工作温度:-55℃~+175℃,栅极电荷量(Qg):121nC,漏源电压(Vdss):1200V,类型:1个N沟道,耗散功率(Pd):348W,输入电容(Ciss):2812pF,输出电容(Coss):111pF,连续漏极电流(Id):69A,阈值电压(Vgs(th)):2.9V

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属性参数值其他
商品目录碳化硅场效应管(MOSFET)
反向传输电容(Crss)7pF
导通电阻(RDS(on))32mΩ
工作温度-55℃~+175℃
栅极电荷量(Qg)121nC
漏源电压(Vdss)1200V
类型1个N沟道
耗散功率(Pd)348W
输入电容(Ciss)2812pF
输出电容(Coss)111pF
连续漏极电流(Id)69A
阈值电压(Vgs(th))2.9V

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30+¥26.19/个
90+¥23.84/个
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94+¥23.84/个

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