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BCZ120N32W1
扩展库- 品牌名称
- Bestirpower(萃锦半导体)
- 厂家型号
- BCZ120N32W1
- 商品编号
- C46472754
- 商品封装
- TO-247-4
- 商品毛重
- 0.001千克(kg)
- 包装方式
- 管装
- ECCN
- -
商品参数
反向传输电容(Crss):7pF,导通电阻(RDS(on)):32mΩ,工作温度:-55℃~+175℃,栅极电荷量(Qg):121nC,栅极电荷量(Qg):121nC,漏源电压(Vdss):1200V,类型:1个N沟道,耗散功率(Pd):348W,输入电容(Ciss):2812pF,输出电容(Coss):111pF,连续漏极电流(Id):69A,阈值电压(Vgs(th)):2.9V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 7pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 32mΩ | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 栅极电荷量(Qg) | 121nC | |
| 栅极电荷量(Qg) | 121nC | |
| 漏源电压(Vdss) | 1200V | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 348W | |
| 输入电容(Ciss) | 2812pF | |
| 输出电容(Coss) | 111pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 69A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.9V |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥32.87/个 |
| 10+ | ¥28.2/个 |
| 30+ | ¥25.43/个 |
| 90+ | ¥22.63/个 |
| 510+ | ¥21.33/个 |
| 990+ | ¥20.75/个 |
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