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RSM120080Z
扩展库- 品牌名称
- REASUNOS(瑞森半导体)
- 厂家型号
- RSM120080Z
- 商品编号
- C5371983
- 商品封装
- TO-247-4
- 商品毛重
- 0.008177千克(kg)
- 包装方式
- 管装
- ECCN
- -
商品参数
反向传输电容(Crss):11pF,导通电阻(RDS(on)):80mΩ,导通电阻(RDS(on)):80mΩ@20V,工作温度:-40℃~+150℃,栅极电荷量(Qg):79nC,栅极电荷量(Qg):79nC,漏源电压(Vdss):1200V,类型:1个N沟道,耗散功率(Pd):166W,输入电容(Ciss):1475pF,连续漏极电流(Id):36A,阈值电压(Vgs(th)):2.4V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 11pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 80mΩ | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 80mΩ@20V | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 栅极电荷量(Qg) | 79nC | |
| 栅极电荷量(Qg) | 79nC | |
| 漏源电压(Vdss) | 1200V | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 166W | |
| 输入电容(Ciss) | 1475pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 36A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V |
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